固态硬盘的市场王者三星从830时代起就是EVO和PRO两款分别针对高低端市场,这次最新一代850EVO最大的特色和850PRO一样,采用了自家全新的3D V-NAND TLC闪存,3D V-NAND闪存芯片采用的垂直单元架构立体堆叠,能够打破过去闪存芯片在容量方面的局限性,同时也能够大幅度提升产品的读写速度以及稳定性,并有助于提升3bit TLC闪存的耐用性。
主控和PRO一样,三星850EVO各版本均从MEX主控,采用了最新MGX主控(1TB版本除外仍是MEX主控)。新一代MGX主控特别针对低容量版本进行随机读写性能的优化,且功耗表现更出色,并支持队列TRIM指令,支持AES-256位加密。
速度850PRO一样:最大连续读取为550MB/秒,连续写入最大520MB/秒,4K随机读取速度94000/88000IOPS
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